数据列表MMBT2222(A)LT1 Datasheet
标准包装 3,000包装 标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管(BJT) - 单路系列-其它名称MMBT2222ALT1GOS
MMBT2222ALT1GOS-ND
MMBT2222ALT1GOSTR
规格不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1V @ 50mA,500mA不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V供应商器件封装SOT-23功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3晶体管类型NPN电压 - 集射极击穿(最大值)40V电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)频率 - 跃迁300MHz
文档产品目录页面1559 (CN2011-ZH PDF)
PCN 设计/规格Glue Mount Process 11/July/2008
Gold to Copper Wire 08/May/2007
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